镓未来完成A+轮近亿融资，加速突破中大功率应用场景

近日，珠海镓未来科技有限公司披露其已完成近亿元A+轮融资，由顺为资本、G瓴创投、盈富泰克联合投资，深启投资担任d家财务顾问。至今，这家专注于G端第三代半导体氮化镓功率器件研发、生产、营销和系统应用的综合解决方案提供商，成立一年半已累计融资过2亿。本轮融资将主要用于氮化镓功率芯片新产品研发及应用方案开发，此外还将用于供应链建设。

据悉，镓未来基于成熟技术平台的产品已达到国际水平，多款650V氮化镓产品实现了量产销售, 成功进入低功率和大功率市场。

目前，镓未来在核心创始人吴毅锋博士的带L下，正在扩展产品线，实现封装和配件芯片的国产化，并且已开启了新一代技术平台的研发，未来产品性能将进一步提升，成本进一步下降。与其他友商不同，镓未来不但开发应用于手机/笔记本PD快充上的产品，同时直接突破中大功率应用场景。

镓未来同样由快充L域切入，既可以获得市场的互动和及时反馈，也能够获取足够基数的可靠性数据。核心创始人、IEEE Fellow吴毅锋博士在氮化镓L域有26年的技术积累，作为成功的连续创业者，历任Cree公司器件科学家、Transphorm公司GJ副总裁，曾带L团队开发并量产出批600V以上商用GaN功率器件，将可靠性提升至业内。

在吴毅锋博士的带L下，去年镓未来研发并量产了适用于30W-120W电源适配器的氮化镓开关器件产品，主要应用于手机/笔记本快充中，在手订单达数百万颗，客户由电商、ODM厂商、方案设计商向品牌客户拓展。镓未来今年继续推出适用于140W、200W、330W等低功率应用场景的G性能氮化镓功率器件产品及电源整体解决方案。

吴毅锋博士举例，氮化镓技术可以让单个5G基站或数据中心的单台服务器，年节省用电约200-1,000度。此外，功率转换的体积、重量可以降低20%-50%，变压器、电容等耗材也相应减少。

镓未来采用J联结构型设计方案，在常开型GaN器件的源端串接一个常关型的低压MOSFET，实现增强型器件。通过器件集成的优化设计与先进封装，克服了传统J联结构的缺点，实现了G速而稳定的特性。

采用GaN天然的常开特性可以避免制作常关型GaN器件工艺引入的缺陷，加上先进的设计和成熟制作技术，镓未来的产品动态特性优秀，可靠性G。由于其栅J是常规的Si MOSFET，栅J抗噪声、抗冲击能力强，兼容Si基功率开关电路的栅J驱动。而且可以封装成插件形式，适合大功率应用场景，应用功率范围可覆盖30W-4,000W。

市场上主流结构还有直驱型、以p-GaN栅J为代表的常关型，技术路线各有优势，也各有自己需要克服的技术难点。不约而同，走这两种技术路线的品牌商也在尝试由低功率向中大功率布局，但1,000W以上仍然是一个很难突破的门槛。

镓未来目前已经实现了800W 至 3,600W服务器电源和算力电源样机开发和测试，相应的氮化镓产品已陆续量产。据了解，镓未来是国内实现2,000W-4,000WG效电源达到96%钛金能效标准的 650V 氮化镓功率器件量产制造商。